Some aspects of numerical modelling of turbulent low Re melt flow during CZ silicon single crystal growth

verfasst von
Armands Krauze, Andris Muiznieks, T. Wetzel, Georg Raming, Alfred Mühlbauer, L. Buligins, J. Virbulis
Organisationseinheit(en)
Institut für Elektroprozesstechnik
Typ
Aufsatz in Konferenzband
Seiten
54-59
Publikationsdatum
1999
Publikationsstatus
Veröffentlicht