Three-dimensional transient modeling of the melt flow in a TMF VCz system for GaAs crystal growth

verfasst von

B. Nacke, H. Kasjanow, A. Krause, A. Muizňieks, F. M. Kiessling, U. Rehse, P. Rudolph

Abstract

Numerical modeling of electromagnetic, thermal and flow field is used to analyze the influence of a travelling magnetic field (TMF) applied during crystal growth of GaAs in a VCz crystal growth system. The TMF is generated by a heater-magnet module (HMM), combining the generation of heat and electromagnetic Lorentz forces. The influence of different electric as well as geometric parameters on the TMF effects have been investigated. The numerical results allow an optimal HMM design for the VCz system for growing GaAs and other semiconductor crystals.

Organisationseinheit(en)

Institut für Elektroprozesstechnik

Externe Organisation(en)

University of Latvia
Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)

Typ

Artikel

Journal

Magnetohydrodynamics

Band

45

Seiten

317-324

Anzahl der Seiten

8

ISSN

0024-998X

Publikationsdatum

07.2009

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Allgemeine Physik und Astronomie, Elektrotechnik und Elektronik

Elektronische Version(en)

http://mhd.sal.lv/contents/2009/3/MG.45.3.2.R.html (Zugang: Geschlossen)