Chaotic potential on the degenerated semiconductor surface

verfasst von: Vyacheslav B. Bondarenko, Sergey N. Davydov, Bernard Nacke, Alexey V. Filimonov
Abstract: In this paper, natural heterogeneities of the potential on the degenerated semiconductor surface are discussed as well as the barrier height fluctuations in metal-semiconductor contacts. In the case of electroactive dopant linear screening, characteristic values of chaotic potential amplitudes have been defined. The dependence is shown of these heterogeneities on semiconductor electrophysical parameters.
Organisationseinheit(en): Institut für Elektroprozesstechnik
Externe Organisation(en): St. Petersburg State Polytechnical University
Typ: Artikel
Journal: Key Engineering Materials
Band: 806
Seiten: 17-23
Anzahl der Seiten: 7
ISSN: 1013-9826
Publikationsdatum: 11.06.2019
Publikationsstatus: Veröffentlicht
Peer-reviewed: Ja
ASJC Scopus Sachgebiete: Werkstoffwissenschaften (insg.), Werkstoffmechanik, Maschinenbau
Elektronische Version(en): https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/KEM.806.17 (Zugang: Geschlossen)