Unsteady 3D and analytical analysis of segregation process in floating zone silicon single crystal growth

verfasst von

K. Lacis, A. Muižnieks, N. Jekabsons, A. Rudevičs, B. Nacke

Abstract

3D unsteady numerical calculations of velocity, temperature and dopant concentration fields in the molten zone in Floating Zone (FZ) Si single crystal growth process using a HF magnetic field are carried out. The recorded fluctuations of physical fields near the crystallization interface are used to estimate the possible fluctuations of the crystal growth rate. Analytical estimation of the amplitude of concentration oscillations due to changing local crystal growth rate is carried out.

Organisationseinheit(en)

Institut für Elektroprozesstechnik

Externe Organisation(en)

University of Latvia
Ventspils University College

Typ

Artikel

Journal

Magnetohydrodynamics

Band

45

Seiten

549-556

Anzahl der Seiten

8

ISSN

0024-998X

Publikationsdatum

2009

Publikationsstatus

Veröffentlicht

Peer-reviewed

Ja

ASJC Scopus Sachgebiete

Physik und Astronomie (insg.), Elektrotechnik und Elektronik

Elektronische Version(en)

https://doi.org/10.22364/mhd.45.4.9 (Zugang: Geschlossen)