Stress-induced dislocation generation in large FZ- and CZ-silicon single crystals - numerical model and qualitative considerations

verfasst von
Andris Muiznieks, Georg Raming, Alfred Mühlbauer, J. Virbulis, B. Hanna, W. von Ammon
Organisationseinheit(en)
Institut für Elektroprozesstechnik
Typ
Aufsatz in Konferenzband
Seiten
33-34
Publikationsdatum
2001
Publikationsstatus
Veröffentlicht