Numerical modeling of the float zone silicon crystal growth

verfasst von
Janis Virbulis, Alfred Mühlbauer, Andris Jakovics
Organisationseinheit(en)
Institut für Elektroprozesstechnik
Typ
Aufsatz in Konferenzband
Seiten
606-607
Publikationsdatum
1995
Publikationsstatus
Veröffentlicht