Analysis of Transient Dopant Segregation Effects at the Floating Zone Growth of Large Silicon Crystals

verfasst von
Alfred Mühlbauer, Andris Muiznieks, J. Virbulis
Organisationseinheit(en)
Institut für Elektroprozesstechnik
Typ
Aufsatz in Konferenzband
Seiten
3
Publikationsdatum
1997
Publikationsstatus
Veröffentlicht